Navitas，开发10000伏SiC IGBT

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Navitas Semiconductor公司已被美国陆军选中参与ALATTIS项目，负责开发和验证下一代10kV碳化硅功率半导体技术。该项目将重点研发用于高功率国防和基础设施应用的碳化硅绝缘栅双极型晶体管及相关PiN二极管技术。

ALATTIS（加速型大面积10kV SiC IGBT）项目旨在建立一套国产超高压SiC器件（额定电压10kV及以上）的制造工艺。该项目将涉及器件设计、制造、测试和工艺验证的迭代过程。

该项目由美国陆军作战能力发展司令部下属的陆军研究实验室赞助，并得到联合实验与技术加速器的支持。据纳维塔斯公司称，该项目的目标是开发一种目前美国国内尚不具备的10kV碳化硅IGBT的美国本土制造工艺。

Navitas计划利用其专利的沟槽辅助平面（TAP）架构开发10kV SiC IGBT，并将其与高压SiC PiN二极管技术集成。最终产品将应用于需要高压和大功率开关的关键任务系统。

该公司现有的GeneSiC产品组合涵盖650V至6.5kV的电压等级，其中包括基于其TAP架构的SiC MOSFET。Navitas表示，该产品组合依托于以美国为基地的工程、制造和供应链基础设施。

Navitas 此前已开发出多种超高压 SiC 器件，包括 2010 年的 6.5kV SiC 晶闸管、2012 年的 10kV 至 15kV SiC PiN 二极管以及 2021 年商业化的 6.5kV SiC MOSFET。

ALATTIS 项目将把公司的研发活动从 SiC MOSFET 扩展到 10kV 级 SiC IGBT，其制造和测试是该计划建立经过验证的国内制造工艺的一部分。

从SiC MOSFET扩展到超高压SiC IGBT

Navitas 于2026年9月28日（美国时间）宣布，公司已入选美国陆军的“ALATTIS”项目，该项目旨在开发下一代10kV（10,000V）级碳化硅（SiC）IGBT。纳维达将利用其为SiC功率半导体开发的专有“沟槽辅助平面（TAP）”结构，将其技术范围从SiC MOSFET扩展到超高压SiC IGBT。

ALATTIS（加速型大面积10 kV SiC IGBT）项目旨在开发、执行和验证一种在美国境内制造超高压SiC功率半导体（10 kV及以上）的工艺。该项目通过迭代设计、制造和测试，力求在美国建立一种新的制造工艺。

该项目由美国陆军研究实验室（ARL）赞助，并得到联合实验与技术加速器（JETX）的支持。其目标是推进用于国防和关键基础设施应用的高功率电子技术，重点是开发10kV级SiC IGBT和相关的PiN二极管技术。

Navitas 以“GeneSiC”品牌提供 SiC 功率半导体产品。其核心是采用其专有的“沟槽辅助平面 (TAP)”结构的 MOSFET 架构，电压等级涵盖 650V 至 6.5kV。

该公司表示，其在高压 SiC 领域取得了多项成功，包括 2010 年开发出 6.5kV SiC 晶闸管，2012 年开发出 10-15kV SiC PiN 二极管，以及 2021 年实现 6.5kV SiC MOSFET 的商业化。

Navitas 高级副总裁兼首席技术官 (CTO) Siddarth Sundaresan 表示：“通过 ALATTIS，我们正在将我们的领先地位扩展到 SiC MOSFET 之外，开发出下一代 10kV SiC IGBT，它采用了独特的 TAP 结构并集成了先进的 PiN 二极管技术。”

“ALATTIS 奖项的获得标志着超高压碳化硅 (SiC) 功率器件发展的一个重要里程碑，也认可了 Navitas 二十多年来在提供可靠的超高压大功率 SiC 技术方面的创新，”Navitas 高级副总裁兼首席技术官 Siddarth Sundaresan 表示。“该项目使 Navitas 能够将其领先地位扩展到 SiC MOSFET 之外，通过开发基于我们独特的专利沟槽辅助平面 (TAP) 架构并集成先进 PiN 二极管技术的下一代 10 kV SiC IGBT。”

（来源：内容来自半导体行业观察综合）

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