北京
韩国半导体市场正出现一个罕见的背离：外资持仓跌至历史低位，而盈利预期却在被持续上修。核心争议落在一个问题上——HBM扩产能否通过挤压传统DRAM供给，延长存储上行周期。这直接决定了当前4.7倍市盈率究竟是估值洼地，还是周期顶部的陷阱。
正方：低估值叠加盈利上修
看多的一方盯住的是两组数据的错位。一边是外资持仓已经跌到历史低位，另一边是盈利预期还在不断被调高。在他们看来，这种背离本身就是机会——市场情绪已经把悲观定价打满，而基本面并没有同步恶化。
支撑这一判断的关键变量是HBM。如果HBM扩产持续占用产能，传统DRAM的供给就会被压缩，存储上行周期有望被拉长。周期没走完，4.7倍市盈率就谈不上贵。
反方：低估值可能是周期顶信号
看空的一方则提醒，存储行业的历史规律是——盈利预期最乐观的时候，往往离周期拐点不远。外资持仓跌至历史低位，未必是错杀，也可能是提前离场。
他们的疑虑集中在HBM扩产的可持续性上。一旦扩产节奏放缓，或者传统DRAM供给重新释放，当前被上修的盈利预期就可能面临回摆。届时4.7倍市盈率不是便宜，而是市场对盈利下滑的提前定价。
判断的分水岭
两方的分歧最终收敛到同一个观察点：HBM扩产能否真正挤压传统DRAM供给。能，上行周期延长，低估值成立；不能，盈利预期回落，低估值就是陷阱。
4.7倍市盈率本身不构成答案。它只是一个结果——取决于你站在周期哪一段来看它。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
