韩国半导体市场正出现一个罕见的背离:外资持仓跌至历史低位,而盈利预期却在被持续上修。核心争议落在一个问题上——HBM扩产能否通过挤压传统DRAM供给,延长存储上行周期。这直接决定了当前4.7倍市盈率究竟是估值洼地,还是周期顶部的陷阱。
正方:低估值叠加盈利上修
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看多的一方盯住的是两组数据的错位。一边是外资持仓已经跌到历史低位,另一边是盈利预期还在不断被调高。在他们看来,这种背离本身就是机会——市场情绪已经把悲观定价打满,而基本面并没有同步恶化。
支撑这一判断的关键变量是HBM。如果HBM扩产持续占用产能,传统DRAM的供给就会被压缩,存储上行周期有望被拉长。周期没走完,4.7倍市盈率就谈不上贵。
反方:低估值可能是周期顶信号
看空的一方则提醒,存储行业的历史规律是——盈利预期最乐观的时候,往往离周期拐点不远。外资持仓跌至历史低位,未必是错杀,也可能是提前离场。
他们的疑虑集中在HBM扩产的可持续性上。一旦扩产节奏放缓,或者传统DRAM供给重新释放,当前被上修的盈利预期就可能面临回摆。届时4.7倍市盈率不是便宜,而是市场对盈利下滑的提前定价。
判断的分水岭
两方的分歧最终收敛到同一个观察点:HBM扩产能否真正挤压传统DRAM供给。能,上行周期延长,低估值成立;不能,盈利预期回落,低估值就是陷阱。
4.7倍市盈率本身不构成答案。它只是一个结果——取决于你站在周期哪一段来看它。
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