广东
观点网讯：9月28日，先导科技集团旗下先导芯光电子科技（武汉）有限公司晶圆厂在武汉东湖综保区通线。
该厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心。通线后，基地由建设期转入工艺认证与产品导入阶段。
基地建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台。
其中，磷化铟产线面向光通信主干，覆盖激光器、调制器、探测器等光器件，同时承载高速电器件工艺，让光芯片与电芯片在同一条产线上完成；砷化镓产线覆盖垂直腔面发射激光器（VCSEL）等器件与射频工艺，兼顾光通信与射频两类产品。
产能尚未释放，订单已经先行。本月，先导科技集团联合旗下安徽先导极星科技有限公司、武汉光谷量子技术有限公司，承接海外头部客户面向下一代单模400G光互连的联合研制预研订单。
上述12项联合研制项目的最终量产均落在先导芯光。
与此同时，武汉光谷量子的磷化铟光芯片已在100G与200G速率上形成供货，量产依托先导芯光晶圆厂；先导科技集团本月还与广州慧智微电子股份有限公司签署战略合作协议，就单模400G及更高速率电芯片、卫星通信射频前端芯片开展联合研制。
先导芯光项目负责人詹英祺表示：“单通道400G这一代，光与电长到了同一种材料上。我们要做的，是让客户在这里拿到一个可验证、可扩产、可长期供应的平台”。
先导科技集团联席总裁侯振富表示：“先导芯光通线是集团从材料到芯片战略在武汉落地的关键一步，集团在稀散金属与化合物半导体衬底领域的长期积累由此延伸到晶圆制造与芯片层面，将持续投入，把武汉基地建成面向光通信与射频通信的化合物半导体制造高地。”
据悉，通线后研发批与工程批即日开跑，200G光芯片代工导入先行，400G平台各项目同步进入流片与验证阶段。平台将以晶圆代工与联合研制两种方式向产业链开放。
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