截至10:21,上证科创板芯片设计主题指数(950162)跌0.82%,成分股聚辰股份涨2.25%、格科微涨1.3%、思特威-W涨1.07%、寒武纪涨0.98%、新相微涨0.69%,盛科通信-U跌1.93%、澜起科技跌1.79%、海光信息跌1.78%、裕太微-U跌1.43%、芯原股份跌1.41%。
消息面上,台积电参股芯片制造商VIS周一在新加坡为首座先进芯片制造工厂举行启用仪式,并已着眼建设第二座工厂。受人工智能基础设施热潮推动,新工厂产能一投产便已“售罄”。
这座名为VSMC的晶圆厂是VIS与欧洲芯片制造商恩智浦的合资企业。该工厂于6月开始试生产,从开工建设到试产仅用了18个月,远快于通常建设一座芯片工厂所需的两年多时间。VIS表示,首批芯片的良率至少达到99%。该工厂计划于2027年初开始量产。这该工厂还将帮助台积电生产关键的“中介层”,用于先进芯片封装,作为连接不同类型芯片的基板,服务于英伟达、谷歌和博通等领先AI芯片制造商。台积电是VIS最大股东,持股约19%。
德意志银行指出,DRAM供需缺口将在2027、2028年进一步扩大;市场或在2029年达到供需平衡,2030年转入供给过剩。Melissa的模型依旧显示,长期需求强劲,显著高于历史中枢。预计至2030年,DRAM需求复合年均增长率(CAGR)约21%,而历史均值仅为15%左右。分析师提到,DRAM晶圆供给复合年均增速上调至15%以上,高于此前12%以上的预测,但供给增速仍大幅低于需求增速。
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