北京
来源：市场资讯
（来源：电子技术应用ChinaAET）
9月28日晚间，长鑫科技公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
其中，技术研发项目计划投资总额为 241 亿元，其中拟使用超募资金投入金额 130.00 亿元，本项目投资建设期为 30 个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。本项目为研发项目，不单独进行投资回报测算，本项目最终产生的经济利益，是通过技术赋能公司主营产品，促进公司主营业务增长表现出来的。项目建成后将推动技术创新突破，加速科技成果转化，带动产业升级。本项目的实施，有利于公司进一步保持和增强技术研发实力，有助于增强公司的市场地位，提升公司整体核心竞争力。
长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目计划投资总额为 108 亿元，其中公司将通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金金额 50.00 亿元。本项目投资建设期为 37 个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。经测算，项目内部收益率及总投资收益率均处于合理区间，经济效益良好。有利于促进公司进一步完善 IDM 运营模式，实现从前道至后道的产业链整合，有利于解决公司新增测试产能不足问题，保障后道产能供应链安全，有效降低测试成本，提升公司整体运营能力，从而提升公司整体核心竞争力。
来 源 | IT之家
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