北京
国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置以及半导体存储器”的专利，公开号CN122825446A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本发明提供使接触电阻降低且使两个晶体管之间的耐压提高的半导体装置以及半导体存储器。实施方式的半导体装置(1)包括基板(20)、绝缘膜(60以及70)、导电体层(62以及72)、和第1接触插塞至第3接触插塞(CP)。基板包括扩散区域(NM2以及NP0‑1)。扩散区域(NM2)对应于晶体管(T9以及T10)的一端。扩散区域(NP0‑1)具有比扩散区域(NM2)高的杂质浓度。在扩散区域(NP0‑1)的上部形成硅化物部(51)。导电体层(62)对应于第1晶体管的栅电极(GEa)。在导电体层(62)的上部除了一部分之外形成硅化物部(63)。导电体层(72)对应于晶体管(T10)的栅电极(GEb)。在导电体层(72)的上部形成硅化物部(73)。在俯视的情况下，导电体层(62)的一部分配置于两硅化物部(51以及63)之间。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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