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AI基础建设持续扩张，存储缺货潮未见终点。业内人士预估，第四季DRAM、NAND Flash价格，将分别季增约20％、30％，供需缺口持续为负，价格谈判权仍掌握在供应端。
2023～2024年存储芯片原厂缩减投资与晶圆投片所造成的供给缺口，至今尚未完全修复。
尽管各大原厂重启资本支出，但从新厂建设、设备进场、首批晶圆产出到良率爬升均需要时间，短期有效位元供给，仍追不上AI需求增长。
其中，NAND将成为第四季价格弹性最大的记忆体产品。大型语言模型推论所需的KV Cache、RAG、模型权重、checkpoint及中间资料，使NAND由传统冷资料储存，进入AI记忆体阶层。
业者指出，AI带来的需求，不只是SSD数量增加，也同步推升单颗SSD容量及单一系统NAND搭载量。手机、PC等消费性需求虽转弱，原厂仍将有限产能，配置至高毛利Enterprise SSD及AI储存。另一方面，三星、SK海力士、铠侠及美光持续将产能转向高层数3D NAND、TLC／QLC及Enterprise SSD，使MLC、SLC等成熟型NAND供给进一步缩减。
而DRAM方面，供给压力同样未解。 HBM因裸晶面积较大、堆叠结构复杂，对晶圆、TSV、先进封装及测试资源的消耗高于标准型DRAM，即使晶圆投片增加，一般型DRAM有效位元供给受排挤。
法人指出，2027年随Server DRAM及HBM需求继续扩张，市场真正的限制已不只是晶圆投片量，而是有限的先进DRAM晶圆，要配置给HBM、Server DDR5、SOCAMM或消费型DRAM。
HBM：技术门槛正在抬高
HBM 方面出现了一个值得关注的技术趋势：头部存储厂商计划为新一代 HBM 使用更先进的逻辑工艺。这意味着存储厂商的竞争将不仅依赖产能扩张能力，也越来越依赖对先进逻辑工艺的掌控。
HBM 竞争的三个层次：
产能：HBM 单位晶圆消耗产能远高于普通 DRAM，堆叠层数越高、良率越低，对标准 DRAM 的挤出越明显；
工艺：新一代 HBM 转向更先进的逻辑工艺，技术门槛抬升；
产能挤占：只要 AI 服务器需求不减，HBM 的涨价就会通过"挤占"传导到普通 DRAM，形成全品类涨价。
这个变化的影响是双重的：一方面，具备逻辑工艺协同能力的头部厂商优势扩大；另一方面，二线厂商追赶的难度在增加，行业集中度可能进一步上升。
但另有业界声音表示，存储涨价动能现边际放缓信号：Q3 涨幅收窄，机构预测 Q4 仅小幅上涨群智咨询数据显示，三季度 DRAM 继续涨价但涨幅明显收窄，部分品类环比涨幅回落至 10% 以内，PC 终端采购趋于保守；中国机构 SigmaIntel 预计四季度 DRAM 价格仅小幅上涨（16GB DDR4 约 +6%、4GB LPDDR4X 约 +5.2%）。
同时，宏碁 CEO 陈俊圣警告 "存储荒" 不会持续太久，大陆存储产量增加预计 2027 年底前后显性化并缓解供应压力。涨价周期进入 "高位趋缓" 阶段。
把这轮逻辑串起来：AI需求→ eSSD 需求爆发 → 产能重新分配 → 全品类涨价 → 长单锁定价格，这是一条完整的传导链。
有业内人士表示，跟踪时应重点关注三个指标：①四季度合约价的实际落地幅度；②eSSD 交期能否从16周回落（反映供给是否缓解）；③国产存储厂商的扩产与竞争动态。需要提示的是，存储涨价的核心驱动是 HBM 与 eSSD 对普通 DRAM/NAND 的产能挤占，因此品类分化会很明显——高容量、服务器级产品仍紧缺，消费级可能先行走弱。
（来源：综合自网络，谢谢）
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