北京
国家知识产权局信息显示，合肥艾创微电子科技有限公司申请一项名为“一种高边NMOS浮地产生电路”的专利，公开号CN122823958A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种高边NMOS浮地产生电路，包括：浮地节点；电压采样模块，其输入端耦合至供电电源，用于检测供电电源的电压幅值并产生相应的采样信号；下拉控制模块，连接于浮地节点与参考地之间，其控制端耦合至电压采样模块的输出端，响应于采样信号选择性地将浮地节点向所述参考地下拉；浮地产生模块，用于产生相对供电电源具有固定幅值的浮地电压；当供电电源的电压幅值低于预设阈值时，电压采样模块控制下拉控制模块导通，以增大浮地节点与供电电源之间的电压差；当供电电源的电压幅值高于预设阈值时，电压采样模块控制下拉控制模块关断，以停止对浮地节点的下拉。实现了浮地电压幅值随供电电压变化的动态自适应调节。
天眼查资料显示，合肥艾创微电子科技有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1577.7778万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥艾创微电子科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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