北京
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国家知识产权局信息显示，武汉科技大学;苏州山青半导体科技有限公司申请一项名为“一种复杂形状碳化硅陶瓷用双体系成型组合料及其制备方法”的专利，公开号CN122809897A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种复杂形状碳化硅陶瓷用双体系成型组合料及其制备方法。所述组合料包括精细复制浆料和结构填充浆料；精细复制浆料包括细粒级碳化硅微粉、碳化硼微粉、酚醛树脂、液体硅酸钾钠水玻璃和乙醇，结构填充浆料包括粗粒级碳化硅微粉、细粒级碳化硅微粉、碳化硼微粉、酚醛树脂、液体硅酸钾钠水玻璃和乙醇。通过精细复制层与结构填充体协同构建整体陶瓷坯体，经二氧化碳固化、脱模、预烧、随形支撑及高温烧结，获得复杂形状碳化硅陶瓷制品。本发明兼顾成型精度、表面质量、尺寸稳定性及力学性能，适用于复杂曲面、薄壁及异形内腔碳化硅陶瓷制品的制备。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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