北京
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国家知识产权局信息显示，厦门泉镓半导体科技有限公司申请一项名为“一种Sn、Si共掺制备高电导率n型氧化镓同质外延层的方法”的专利，公开号CN122811910A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种Sn、Si共掺制备高电导率n型β‑Ga2O3同质外延层的方法，属于半导体材料技术领域。本发明采用金属有机化学气相沉积法，在β‑Ga2O3单晶衬底上外延生长Sn、Si共掺的β‑Ga2O3薄膜。通过优化Sn源和Si源的流量比例、生长温度、反应室压力等工艺参数，实现Sn和Si元素的精确共掺。该方法制备的n型β‑Ga2O3同质外延层具有高电导率、良好的结晶质量和均匀的掺杂分布，适用于制备高性能的功率电子器件和深紫外光电器件。
天眼查资料显示，厦门泉镓半导体科技有限公司，成立于2025年，位于厦门市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门泉镓半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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