北京
国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“P-GaN器件结构制造方法及P-GaN器件结构”的专利，公开号CN122803319A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请公开了一种P‑GaN器件结构制造方法及P‑GaN器件结构，包括：在衬底的表面上形成沟道层、势垒层、栅层材料层和栅接触材料层；对栅接触材料层进行刻蚀形成栅接触层；使用第一氢自由基和第一氮自由基对栅接触层和栅层材料层的表面进行第一处理，以提高界面质量；在栅接触层的两侧形成保护侧墙；通过保护侧墙和栅接触层，对栅层材料层进行刻蚀形成栅层；使用酸性清洗液去除保护侧墙，形成包括栅层和栅接触层的栅极结构；使用第二氢自由基和第二氮自由基对栅极结构和势垒层的表面进行第二处理，以提高界面质量；在势垒层的表面上保形形成将栅极结构覆盖的钝化层。本申请能够减少界面缺陷，提高膜层质量，有利于改善器件电学性能。
天眼查资料显示，上海邦芯半导体科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本6166.6668万人民币。通过天眼查大数据分析，上海邦芯半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息314条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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