北京
国家知识产权局信息显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司申请一项名为“分区气相过滤与界面位错湮灭的碳化硅单晶PVT生长方法”的专利，公开号CN122773477A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及碳化硅单晶制备技术领域，具体涉及分区气相过滤与界面位错湮灭的碳化硅单晶PVT生长方法。该方法包括：将碳化硅粉料按不同粒径梯度分层装填；在粉料层与籽晶之间装配多层梯度微孔石墨过滤导流组件，通过下层、中层和上层过滤层对气相进行分级过滤与匀流；依次进行形核期、快速生长期、稳态增厚期和应力释放期四个阶段的晶体生长，其中形核期通入含氢气的气氛，稳态增厚期通入含氮气的气氛；生长结束后进行梯度降温退火。本发明通过气相分级过滤、界面缺陷钝化、位错动态湮灭及全周期组分稳定的协同作用，可消除碳化硅单晶中的碳包裹物和空洞夹杂缺陷，降低位错密度，阻断籽晶缺陷向新生晶体的遗传。
天眼查资料显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司，成立于2024年，位于呼和浩特市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古清橙半导体科技有限公司专利信息14条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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