北京
国家知识产权局信息显示，南京屹立芯创半导体科技有限公司申请一项名为“薄芯片DAF堆叠后处理方法”的专利，公开号CN122784358A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种薄芯片DAF堆叠后处理方法及其使用的应力释放系统。处理方法包括如下步骤：S1、提供一软性气囊，通过向软性气囊的内部施加气压使软性气囊表面贴合并压向翘曲的芯片堆叠体顶部，进行整平操作；S2、保持软性气囊的压力稳定，配合真空环境，进行除泡操作；S3、在保持整平压力的条件下，将温度升高至DAF的固化温度，进行固化操作。本发明处理方法使用软性气囊均匀施压，可将翘曲量降至10μm以内，整平后堆叠体平面度优异。
天眼查资料显示，南京屹立芯创半导体科技有限公司，成立于2021年，位于南京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1476.8042万人民币。通过天眼查大数据分析，南京屹立芯创半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息82条，此外企业还拥有行政许可5个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
