北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122765968A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括若干隔离区和若干有源区，隔离区位于相邻的有源区之间；在隔离区形成隔离结构，包括第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分位于隔离区内，第二部分位于隔离区上，第二部分在衬底上的投影范围位于第一部分在衬底上的投影范围内；在衬底上形成浮栅极结构，浮栅极结构的顶部表面暴露出第二部分顶部表面，浮栅极结构位于相邻的隔离结构之间；去除与浮栅极结构相邻的部分第二部分，形成第三部分，在浮栅极结构和第三部分之间形成第一凹槽和第二凹槽，第三部分位于第一凹槽和第二凹槽之间；在第一凹槽内、第二凹槽内和浮栅极结构上形成控制栅结构。所述方法形成的半导体结构可靠性得到提升。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息8236条，此外企业还拥有行政许可232个。
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目123次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息15099条，此外企业还拥有行政许可486个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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