北京
国家知识产权局信息显示，深圳市华芯控股有限公司申请一项名为“一种BMS短路MOS尖峰电压吸收电路”的专利，公开号CN122763292A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及电池管理系统等技术领域，提供一种BMS短路MOS尖峰电压吸收电路，通过引入包括辅助MOS管DFET2、二极管D2、电阻R3、电容C2和正温度系数热敏电阻PTC1的新型尖峰电压吸收电路，利用DFET2的滞后关断特性，对短路瞬间的电流突变进行延缓，实现对尖峰电压的主动、快速吸收，保护效果优于被动钳位的TVS管方案。同时，PTC热敏电阻使得电路具备了根据电流大小进行自适应保护的能力，并实现故障后的自恢复功能，有效提升BMS系统的可靠性和免维护性。此外，该电路结构简单，所用元器件均为常规器件，成本低廉，且可直接利用部分BMS已有的预充电路进行改造，具有很高的工程应用价值。
天眼查资料显示，深圳市华芯控股有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1340万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市华芯控股有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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