北京
国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“一种深沟槽电容器及其制造方法”的专利，公开号CN122765979A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种深沟槽电容器及其制造方法，电容器包括：衬底，衬底上设置层垒结构；深沟槽，设置在层垒结构中；第一电容层，贴覆在深沟槽的部分槽侧壁上；上电极板层，连接并覆盖第一电容层的侧表面；第二电容层，连接并覆盖上电极板层的部分侧表面；下电极板层，连接并覆盖第二电容层的侧表面，其中第一电容层、上电极板层、第二电容层和下电极板层沿深沟槽的宽度方向分布；下导电层，设置在深沟槽中，下导电层连接于下电极板层；隔绝层，设置在深沟槽中，隔绝层覆盖在下导电层上，且隔绝层连接于下电极板层、第二电容层和上电极板层；以及上导电层，设置在深沟槽中，上导电层设置在隔绝层上，且上导电层连接于上电极板层。
天眼查资料显示，杭州积海半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1225000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州积海半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目583次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息153条，此外企业还拥有行政许可21个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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