国家知识产权局信息显示,杭州积海半导体有限公司申请一项名为“一种深沟槽电容器及其制造方法”的专利,公开号CN122765979A,申请日期为2026年6月。
专利摘要显示,本发明提供了一种深沟槽电容器及其制造方法,电容器包括:衬底,衬底上设置层垒结构;深沟槽,设置在层垒结构中;第一电容层,贴覆在深沟槽的部分槽侧壁上;上电极板层,连接并覆盖第一电容层的侧表面;第二电容层,连接并覆盖上电极板层的部分侧表面;下电极板层,连接并覆盖第二电容层的侧表面,其中第一电容层、上电极板层、第二电容层和下电极板层沿深沟槽的宽度方向分布;下导电层,设置在深沟槽中,下导电层连接于下电极板层;隔绝层,设置在深沟槽中,隔绝层覆盖在下导电层上,且隔绝层连接于下电极板层、第二电容层和上电极板层;以及上导电层,设置在深沟槽中,上导电层设置在隔绝层上,且上导电层连接于上电极板层。
天眼查资料显示,杭州积海半导体有限公司,成立于2019年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1225000万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州积海半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目583次,财产线索方面有商标信息10条,专利信息153条,此外企业还拥有行政许可21个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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