北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“应用于浅沟槽隔离结构制作中的工艺方法”的专利，公开号CN122719434A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种应用于浅沟槽隔离结构制作中的工艺方法，包括：镀膜步骤，其包括在刻蚀反应腔室中，通入包含氯气与四氟化碳的混合气体，进行第一预定时间的等离子处理，以在所述反应腔室的内壁以及设置于所述反应腔室内的部件表面形成保护薄膜；刻蚀步骤，其包括在所述镀膜步骤之后，将表面形成有浅沟槽隔离图形的衬底传送至所述反应腔室中，使用刻蚀工艺气体对衬底进行浅沟槽刻蚀，在所述衬底中形成所述浅沟槽隔离结构的沟槽；清洁步骤，其包括在将经刻蚀的衬底移出所述反应腔室后，向所述反应腔室内通入包含三氟化氮与氧气的混合气体进行第二预定时间的等离子体清洁，以去除副产物聚合物。
天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息279条，此外企业还拥有行政许可234个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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