上海
9月8日，科创芯片设计方向延续走强。截至10时41分，科创芯片设计ETF招商(589390)标的指数涨0.78%，一度涨1.31%，成分股芯原股份、普冉股份、佰维存储、聚辰股份、东芯股份、思瑞浦涨幅居前。截至9月7日，该基金获资金连续5日净流入，累计约3900万元，年初以来累计净流入约12.3亿元。
消息面上，据韩国券商报告，三星电子与SK海力士当前存储芯片库存已降至不足10天，预计明年DRAM与NAND比特需求将超出供应10个百分点以上。TrendForce预计三季度常规DRAM合约价涨幅收敛至13%至18%（一季度为93%至98%）。华为官宣新一代麒麟9050Pro为“首款逻辑折叠T芯片”，芯片设计国产化再进一步。
分析指出，存储芯片从“去库存”正式切换至“供不应求”阶段，韩国券商库存数据与TrendForce涨价预测交叉验证供需缺口持续性。尽管DRAM涨价从“暴力拉升”进入“温和上行”阶段，但仍在扩张区间，价格传导正从DRAM向更广泛的芯片设计环节扩散。华为麒麟9050Pro官宣为国产芯片设计增添新催化。
据了解，科创芯片设计ETF招商(589390)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦科创板纯芯片设计龙头，前十大重仓覆盖佰维存储、海光信息、澜起科技、寒武纪、芯原股份、普冉股份等，数字芯片设计和模拟芯片设计合计权重达96%。
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