上海
分享至
【消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺】《科创板日报》7日讯，SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。明年第一季度，1c nm的市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。（ChosunBiz）
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
