国产内存份额达10%！韩国指控长鑫盗窃三星620道工艺，损失2000亿

根据最新统计，

虽然长鑫和三大厂的差距依然很明显，但是DRAM内存收入99.0%的环比增速遥遥领先，而且份额已经接近第三名美光的一半，势不可挡。

就在这个时候，韩国人再次发挥“传统艺能”，跳出来指责长鑫盗取三星的大量DRAM内存技术，直接促成其获得了如今的市场地位。

曾经，无论DRAM内存还是NAND闪存，都是三星、SK海力士、美光三大厂的天下，尤其是两大韩国巨头一直把持着全球一半以上的市场，堪称得风得风、要雨得雨，更是韩国人的国民级骄傲。

如今，中国的长鑫存储、长江存储不断挑战他们的固有地位，自然让他们寝食难安。

事实上，韩国和长鑫的内存纠纷自从2024年1月起就在韩国法庭审理了，影响之深远，已经不是技术问题这么简单。

这一庭审此前已经产生了多项有罪判决，包括两名前三星工程师被判处监禁。

现在，韩国媒体《NoCut News》曝光了所谓的“合肥项目”（Project Hefei），核心是一份据称属于长鑫存储的路线图文件，其中包括技术“获取”（acquisitions）、人才挖角、产品流片等相关长期计划。

外泄的法庭卷宗显示，检方称，“合肥项目”是长鑫存储的整套DRAM内存开发方案，相关研发负责人正是原来的三星DRAM内存研发主管。

《NoCut News》表示，这份方案包含DRAM内存制造完整的多达620道工序，还涵盖设备、耗材、生产工艺全套数据，以及具体设备供应商、设备型号。

根据这份指控，长鑫存储2016年6月在合肥成立，2016年8月就制定完成了研发方案，2016年9月拿到三星的DRAM内存工艺方案文档（PRP），2016年10月挖来新的三星核心工程师，2017年7月完成DRAM研发；2018年8月实现DRAM晶圆量产，月产能1万片。

前边的暂且不说，至少这份指控把投产时间搞错了，2018年8月下线的只是工程样片，实际量产是在2019年9月，差了足足一年，只 此 一点就可以看到韩国人是在怎样的信口开河。

报道进一步称，2016年8月的时候，长鑫最初只是依靠从三星挖来的工程师的集体记忆，尝试制造18nm DRAM内存芯片晶圆（其实是19nm又搞错了），但结果发现仅凭记忆远远不够，随后长鑫非法获取了三星的工艺方案文档，很快就整理出了一份自己的版本。

据称，长鑫将这份“新版”工艺方案下发给了多名核心技术人员，其中很多都是前三星员工。

检方认为，这些技术人员理应一眼就认出这份资料源自三星，因为其中还遗留着三星独有的工艺开发标注与笔记。

报道称，一名姓全的前三星研究员已经被定罪，因为他在跳槽长鑫之前手动复制了部分工艺方案资料，为此被判刑7年，并在本案中出庭作证。

韩国媒体认为，长鑫成立之初完全没有研发设施，也没有既定研发规划，只有大约19亿美元的初期政府投资（韩国人又错了其实是180亿元而且还包含产业资本）。

韩国媒体声称，长鑫在几乎没有自有设备、技术积累的前提下，只用两年多时间就实现了DRAM内存晶圆的量产，这是前所未有的，如果不存在被指控的知识产权窃取行为，几乎不可能完成，因为单单是内存晶圆厂的建设通常就要耗费3‑4年，更不用说前期的研发周期。

根据韩国检方2025年12月的统计，三星因为这起被指控的侵权行为而造成的损失，“至少数万亿韩元”，而随着时间推移，损失可能达到40万亿韩元（约2000亿元人民币），且还在指数级扩大。

首先，韩国人的这份指控，不但存在大量毫无根据的凭空指责，更存在各种事实性错误，简直漏洞百出，令人不齿。

事实上，长鑫的DRAM内存早期技术路线并非直接复制三星，而是基于对德国奇梦达（Qimonda）沟槽式DRAM技术的收购与迭代，并通过加拿大知识产权公司WiLAN获得了英飞凌相关DRAM专利的完整授权，走的是BWL（埋藏字线）技术路线，和三星主流的堆栈式DRAM技术路线存在显著差异。

长鑫在2019年量产首款DDR4内存，距离公司成立已经有约3年时间，并非“两年多从零到量产”，而且量产是在专利授权基础上自主设计并完成的，符合半导体行业后发企业通过专利授权切入市场的常规路径。

DRAM晶圆厂建设周期3-4年确实是行业平均水平，但并非铁律，因为长鑫采用了“研发线先行+产能爬坡并行”的特殊模式，而且成立初期就依托兆易创新的设计经验和合肥的产业配套，叠加2016年存储行业下行期设备采购成本较低，从而缩短了落地周期，并非只有“窃取技术”一种可能。

此外，长鑫对研发的重视程度也不像韩国人说的那样。

2023-2025年，长鑫累计研发投入206.05亿元，占收入的21.67%。

截至2025年末，长鑫已拥有境内外专利近7000项，研发人员占比超过30%，技术迭代覆盖 DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等全套产品，广泛覆盖诸多领域，其中LPDDR6更是实现了全球首发量产。

芯硬件认为，这起纠纷，本质上就是全球存储芯片格局重构下的竞争博弈。

过去长达30年的时间里，DRAM内存市场由三星、SK海力士、美光三巨头垄断，韩国更是凭借存储产业获得了巨大的产业利益和话语权，中国厂商的突破，直接冲击其垄断地位。

同时，在AI存储超级周期下，三星、SK海力士虽然收入、盈利暴涨，但是长鑫份额快速提升、产能持续扩张，已经从“非主流玩家”成长为不可忽视的竞争者，逼得韩国通过知识产权诉讼施压，属于科技竞争中的常规手段。

截至目前，这起诉讼仍在韩国法庭审理过程中，所有关于“技术盗窃”的说法均未定性，长鑫也从未公开回应。

近两年，随着AI算力需求的爆发，几乎全球所有内存、存储芯片都被其吞噬。

在此背景下，三星、SK海力士赚得盆满钵满，但是长鑫的规模也出现了爆炸式增长，市场份额在2025年第二季度还只有约4%，到了2026年第二季度已经达到约10%。

再加上台系南亚、华邦占据一小部分市场，DRAM三巨头的合计市场份额数十年来首次跌破90%，垄断性地位开始出现松动。

长鑫存储目前在合肥拥有两座300mm晶圆厂，预计到今年年底合计月产能可达35万片晶圆，非常接近美光的37.5万‑38.5万片月产能。

长鑫还计划在北京新建第三座晶圆厂，建成后目标月产能为10万片晶圆，三座工厂合计45万片左右，从而超越美光。

2026年7月27日，长鑫科技以5800亿元发行市值正式登陆科创板，股价一路暴涨，募资规模申报295亿元，实际上市初始发行达579.19亿元，最终高达666.07亿元。

这使得长鑫超越中芯国际，成为科创板开板以来最大的IPO，也是A股市值最高的芯片企业。

长鑫募得的全部资金，都将投向DRAM内存主业，用于产线改造、工艺迭代、DDR/LPDDR/HBM内存相关研发。

而韩国媒体酸溜溜地称，长鑫募资有约70%都用于产能扩充，主要精力并不在新技术的研发。