北京
国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“改善FIB中截面结构SEM图像质量的方法”的专利，公开号CN122689854A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本公开提供一种改善FIB中截面结构SEM图像质量的方法，包括：定位目标结构在原始样品中的位置；利用聚焦离子束对原始样品进行切割，以获得包裹目标结构的薄片；薄片具有相邻的第一侧面和第二侧面，第二侧面为初始SEM扫描面；将薄片固定于载网的支撑壁上，且薄片的第一侧面与支撑壁接触；调整载网角度，或者，调整FIB机台的倾斜角度，以使得薄片的第二侧面与聚焦离子束的入射方向平行；利用聚焦离子束切削第二侧面，直至露出目标结构的截面；调整载网角度，或SEM电子束的入射角度，使得截面与SEM电子束的入射角度垂直；利用SEM成像，获取截面中目标结构的图像。采用上述技术方案，能够提高FIB中截面结构SEM图像质量。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目294次，财产线索方面有商标信息21条，专利信息695条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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