北京
国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种超结MOSFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN122699347A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种超结MOSFET器件及其制造方法，本发明的超结MOSFET器件包括：导热衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面，导热衬底的导热系数大于或等于200W/(m·K)；键合界面层，设置于导热衬底的第一表面；漏极金属层，设置于键合界面层远离导热衬底的一侧，漏极金属层至少包括第一金属层和第二金属层，第二金属层的厚度介于1~5 μm，用作导电层和应力缓冲层；外延层，位于漏极金属层远离导热衬底的一侧，且外延层中集成有超结MOSFET器件结构。直接采用高导热材料作为衬底，多层金属叠层作为缓冲层，在导热衬底上形成器件，有效避免导热衬底和器件层之间的应力分层的同时极大的提高散热性能。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本68896.015万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，专利信息173条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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