北京
全球NAND闪存市场正迎来一场大变局。韩国SK海力士与日本铠侠这对昔日竞争对手，如今正酝酿联手，共同生产NAND闪存并计划在日本建厂。这一动向背后，是全球存储行业从激烈厮杀走向合纵连横的深层逻辑，而中国企业正成为打破这一格局的关键变量。
从对手到伙伴：一场被迫的“联姻”
SK集团会长崔泰源近日访问东京时明确表态，正考虑让SK海力士与铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。这一表态之所以引发震动，是因为两家公司在全球NAND闪存市场本就是直接竞争对手——SK海力士以22%的份额位列第二，铠侠以14%紧随其后排名第三。
促成这场“抱团”的，既有历史教训，也有现实压力。2019年，日本曾对韩国限制出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，直接卡住了韩国芯片产业的脖子。尽管韩国采取反制与自救措施，依然损失惨重，最终在美国调解下与日本妥协。这段经历让韩国意识到，供应链安全比什么都重要。
如今AI引爆存储需求，各大巨头纷纷扩产。海力士即便在韩国加码1000万亿韩元，也无法满足未来需求。而日本之所以成为最佳选项，不仅因为半导体产业配套成熟，更因为其在光刻胶、高纯气体、特种晶圆材料等核心上游领域依旧掌握全球话语权。牵手铠侠，海力士既能直接利用其产能，又能深度绑定日本供应链，规避风险。更何况，海力士还是铠侠的重要间接投资方，这层关系让双方合作水到渠成。
巨头们的“默契”：从价格战到集体控盘
海力士与铠侠的微妙关系，正是当前全球存储行业的真实写照。除了中国的长鑫存储与长江存储，全球存储玩家主要有韩国的三星、海力士，美国的美光、闪迪，以及日本的铠侠。表面上，各家在终端市场激烈厮杀，专利诉讼、价格战频发；但暗地里，巨头们正通过有序控产、技术协同、供应链互通，共同稳住行业产能节奏，避免恶性价格战，维系存储芯片整体高利润格局。
这种“默契”体现在多个层面：铠侠与闪迪的合资关系已超过25年，近期刚将协议延长至2034年，计划联合投资超310亿美元扩建日本工厂；海力士与闪迪于2025年签署合作备忘录，共同制定高带宽闪存（HBF）的全球标准；三星与海力士联手，与高通合作推进高带宽计算（HBC）技术商业化；三星、海力士、美光三家HBM制造商更是历史上首次联手入股AI公司Anthropic。
不过，这种“抱团”也伴随着法律风险。早在2021年，三星电子、海力士和美光就曾在美国因涉嫌操控DRAM价格被起诉。今年6月，三家公司又在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼，被控合谋操纵DRAM价格。海力士与铠侠的“抱团”，表面看是为了产能，深层看是共同构筑行业壁垒，维系垄断地位。
中国厂商的突围：从追赶者到破局者
如今，稳定的行业棋局正在被中国企业打破。2026年第二季度，长江存储以14%的NAND出货份额首次跻身全球第三，超越铠侠；长鑫存储的DRAM份额也从三年前的2.4%攀升至9%。虽然按营收计，中国厂商与头部仍有差距，但追赶的速度不容忽视。
面对海外巨头“抱团”，中国企业也不应该单打独斗，而是要全力发挥产业链协同优势。当产业链上下游协同作战，中国存储产业才能实现集体突围。这场全球存储市场的攻防战，才刚刚开始。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
