美股存储、光通信板块集体暴涨！产业链公司梳理

作者 | 于晓明，编辑 | 梁普西

来源：巨丰投顾、好股票应用

海内外利好共振！美股存储、光通信板块继续走高

美股三大指数集体收跌，道指跌0.51%，本周累跌0.27%；纳指跌0.29%，本周累涨0.4%；标普500指数跌0.38%，本周累涨0.09%。费城半导体指数涨超3%；存储板块大涨，闪迪涨超11%，SK海力士涨超8%，希捷科技跌超6%，西部数据涨超5%，美光科技涨超6%；光通信板块走高，迈威尔科技涨超7%，Coherent涨超6%，康宁涨超5%，Lumentum涨4%。Lululemon跌超17%，创2018年以来收盘新低；特斯拉Cybercab更新未达预期，股价跌近6%。

美国8月非农就业人数远超预期。据媒体报道，美国8月非农就业人数增加16.2万人，预估为增加5.5万人，前值为减少2.3万人。劳动力参与率为61.6%，前一个月为61.4%。平均每小时工资较前一个月增加0.3%，预估为增加0.3%，前一个月为增加0.2%。市场加大对美联储9月加息的押注。

特朗普再次呼吁美联储降低利率。特朗普表示，美联储理事会在新任主席的带领下，必须变得“聪明”起来。花旗集团大幅推迟了对美联储降息时点的预测，现预计美联储将在2027年6月、9月和12月各降息25个基点。此前的预测为2026年10月、12月和2027年1月。

存储板块消息面上，美光科技计划在今年年底前新增最多6万片/月的HBM产能（按晶圆计），以提升最新一代HBM412层产品的供应能力，该产能将是去年的两倍有余。

国内政策方面，9月4日，七部门印发《促进数字化绿色化协同转型发展实施方案（2026-2030年）》，加强存算一体、高性能存储、数据压缩、分布式训练框架、DB4AI（数据库为AI服务）等关键支撑技术研发。加快突破高速互联、高带宽内存、低功耗计算等核心技术，提升数据传输和模型训练效率。加快研究更加高效的模型训练和推理方法，积极推动混合专家、动态稀疏等模型架构优化迭代，加强量化、剪枝等模型压缩技术研究，探索轻量化部署方式，实现超大规模参数模型性能与资源开销平衡。加快构建软硬件全栈协同能力，加强低功耗芯片、算子加速库、通信、编译、框架、算法、多智能体协同等研发适配，支撑人工智能技术快速迭代和普惠易用。构建生成式人工智能全生命周期资源消耗评估体系，指导生成式人工智能服务提供商主动披露大模型资源利用情况，引导人工智能技术绿色高效发展。

据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。展望三季度，原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限，加上非长协以外的价格上涨空间也正逐季缩小，预计三季度原厂DRAMASP环比继续上涨、增速趋缓，与此同时，在三季度DRAMbit出货量实现正增长的预期下，预计原厂三季度DRAM销售收入再创历史新高。

内存墙持续加剧，HBM成AI算力关键瓶颈。美光在HotChips2026半导体大会上针对"内存墙"进行了量化分析：计算能力大约每两年增长3倍，而内存能力每两年仅增长不到2倍，两者增速的差距意味着内存墙不仅持续存在，且或进一步加剧。这一定量对比揭示了AI算力发展的核心矛盾——处理器性能增速远超存储系统，内存带宽与容量正成为制约AI算力释放的关键瓶颈，HBM作为突破内存墙的核心路径，战略地位愈发凸显。

当前HBM架构：2.5D封装下的多层堆叠。目前HBM是通过硅通孔（TSV）将多层DRAMDie垂直堆叠，并与BaseDie整合，再通过硅中介层（SiliconInterposer）与GPU或其他AI加速器连接，形成典型的2.5D封装架构。美光指出，随着每颗DRAM的储存密度增加，每位元的功耗效率（pJ/bit）随之下降；而HBM多层数堆叠带来热能与机械结构挑战，最大痛点在于功率密度而非总功耗——随着堆叠层数向12层、16层乃至更高演进，单位面积功耗密度急剧上升，散热与信号完整性成为制约架构演进的核心难题。

下一代架构突破：三星zHBM与3D堆叠。随着HBM面临带宽、功耗与封装尺寸等多重瓶颈，三星等厂商正积极寻求下一代HBM架构的突破，整体发展方向由2.5D转向3D堆叠。三星正开发全新方案zHBM，通过将HBM垂直堆叠于xPU上方，在节省硅面积的同时省去传统2.5D封装所需的中介层。三星宣称zHBM可带来70%的能源效率提升，DRAM带宽增加230%，每个DRAM模块最多可节省100W功耗，并让xPU（以GPU为例）额外获得8.3%的功耗空间，实现计算与存储更紧密的异构集成。

关注HBM新技术驱动的产业链机会

英伟达业绩和指引超出市场预期，业绩指引季度环比增长超过双位数，显示AI算力需求并未出现市场担心的边际放缓，未来1-2个季度行业景气度或仍处于上行通道。建议后续重点关注两方面：一是Rubin机柜产品出货情况及其对PCB、光互联等产业链的带动；二是HBM新技术对存储需求的持续拉动，关注存储扩产对混合键合、量测检测等设备和材料的出货以及封测订单的持续带动。

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长鑫科技：国内DRAM存储IDM龙头，实现DDR5、LPDDR5X高端产品量产。

兆易创新：国内存储芯片平台龙头，NORFlash、NAND、利基DRAM业务高速放量，MCU稳步增长，业绩弹性充足。

001***：存储模组优质厂商，聚焦消费与工控级闪存、DRAM模组，深耕渠道端供应链。

300***：国内存储分销龙头，主营DRAM、NAND存储芯片分销业务。

301***：高端存储模组龙头，覆盖消费级、工控、企业级SSD全产品线，布局AI服务器大容量存储。

光通信板块相关催化事件

光通信板块消息面上，有消息称三星电子联合Arm，正式启动端侧AI芯片的联合研发。Arm已于8月底批准拨付了用于开发下一代端侧AISoC芯片的一次性工程费用，并与三星电子正式启动该项目。

光通信板块其他催化事件：9月9日-11日，CIOE中国光博会在举办。9月中下旬：博弈三季报，看几个核心业绩是否继续超预期。10月：OCP大会，ASIC光互联主题，重要产业催化。

在光通信板块活跃的背后，英伟达宣布Spectrum-X以太网硅光交换机已进入全面量产阶段，这是全球首款进入量产的200G/lane CPO以太网交换机系统。该交换机基于Spectrum-6交换芯片打造，激光器数量缩减至传统方案的四分之一，功耗降低至五分之一，光损耗从约22dB降低至约4dB，信号完整性提升64倍。

近日英伟达公司给出2028财年营收同比增长约70%的指引，远超市场预期的45%，管理层表示至少到2028财年，供应仍将是制约增长的瓶颈，当前无约束的真实市场需求可达100%增速。产品结构上，VeraRubin平台将成为明年核心增长引擎，服务器CPU业务预计2028财年实现翻倍以上增长，正式切入全球高端CPU赛道。英伟达还发布了全球首款专为智能体AI设计的CPU，NVIDIAVera，开辟约2000亿美元全新市场。

中国银河证券进一步表示，光通信高成长并非短期行情，海外四大云厂商2026年资本开支指引抬升至72007450亿美元，行业供需紧平衡格局有望延续；伴随AI集群带宽需求提升，光接口向NPO、CPO迭代，高毛利新品导入将推动产业链盈利中枢上移。

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中际旭创：全球高速光模块龙头，800G、1.6T产品深度绑定北美顶级算力客户，全球市占率领先，具备硅光自研全栈能力。

新易盛：海外算力客户核心供应商，800G批量出货、1.6T产能快速爬坡，泰国基地持续扩产释放增量，高端产品占比提升带动盈利能力持续上行。

603***：高速数通光模块新锐标的，1.6T产品完成客户测试验证、下半年进入大批量发货阶段，海外云厂商订单充沛，业绩弹性突出。

002***：国资背景全产业链光通信龙头，自研光芯片实现自主可控，800G稳定批量交付、1.6T规模化出货，3.2T硅光NPO模块完成头部客户验证，技术迭代领先。

301***：高速光模块专精企业，聚焦数通高速光互联赛道，800G、1.6T产品顺利导入头部客户，产品迭代速度快，小体量高弹性特征显著。

000***：国内光通信平台型龙头，覆盖光芯片、高速光模块全链条，1.6T高速产品稳步放量，依托高校科研背景持续落地硅光、高端互联新技术。

作者：于晓明 执业证书编号：A0680622030012

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