北京
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国家知识产权局信息显示，周星工程股份有限公司申请一项名为“薄膜形成方法”的专利，公开号CN122700680A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开涉及一种薄膜形成方法，特别是涉及一种用于形成III-V族薄膜的薄膜形成方法。根据示例性实施例的薄膜形成方法可以为在包括结构层的基板上形成III-V族薄膜的方法，并且包括向结构层供应含有III族元素的源气体的步骤和向结构层供应含有V族元素的反应气体的步骤。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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