北京
当每通道速率从200G提升到400G，光互连的真正障碍已经不在电路设计，而是转移到了材料物理极限。这是联电（UMC）副总裁丁文琪在SEMICON Taiwan国际硅光子论坛上给出的判断。
硅基MZM调制器潜力耗尽、微环调制器存在热稳定性问题、SiGe EAM无法兼顾长距离传输——三种主流调制器路线各有瓶颈，而这些限制都由材料物理特性决定，EDA和系统优化无法解决。400G PAM4通道需要超过110GHz电学带宽和500GHz截止频率的EAM器件，已经逼近半导体技术极限。
磷化铟：产业共识的供应风险
磷化铟（InP）探测器是400G最现实的后备方案，但价格昂贵、集成难度大，供应能力正成为新的风险点。丁文琪明确表示，未来很多年磷化铟都会处于供应受限状态。本周已有Marvell、Lumentum、环球晶等多位产业人士公开确认这一判断。
短期来看，AXT、IQE、Sivers等InP材料厂商受益于供给偏紧。但长期而言，高价格和持续短缺正在推动产业寻找替代方案。InP既拥有深厚的技术护城河，也同时开启了替代材料的倒计时。
联电押注薄膜铌酸锂路线
联电自2021年启动薄膜铌酸锂（TFLN）平台开发，6英寸工艺已完成可靠性认证并实现高良率量产，8英寸平台已进入客户送样阶段。TFLN的优势在于产业基础成熟，LNOI衬底已有完整供应链。
不过这条路线也面临三大挑战：调制器尺寸大、衬底成本高、异质集成复杂。与此同时，GeSn/SiSn研究、Lumentum转向VCSEL等替代方案也在加速推进。
材料瓶颈下的产业变局
一位业内人士的评价颇为直白：没有人会为了好玩去谈300G，除非400G真的遇到了困难。这可能是半导体技术被推进得最极限的一次，甚至不确定它是否能够真正实现。
磷化铟的稀缺是一把双刃剑——短期支撑卖方市场，长期加速替代研发。当材料成为瓶颈，谁能率先突破替代路线的产业化，谁就掌握了下一代光互连的主动权。
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