北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“光学临近效应校正中禁止间距的定义方法”的专利，公开号CN122672272A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种光学临近效应校正中禁止间距的定义方法，通过获取光刻图形的空间像与晶圆上光刻图形的关键尺寸数据；接着根据光刻图形的空间像与晶圆上光刻图形的关键尺寸数据，进行多维度融合判定，以生成光刻图形的禁止间距列表范围；最后对晶圆进行实际校准，并输出禁止间距至光刻图形的设计规则。本发明直接针对OPC模型拟合和校正过程中最困难的区域进行识别，定义出的禁止间距与OPC校正的成功率和稳定性直接相关，简单有效。通过识别高非线性和高灵敏度区域，能够在OPC模型的校准阶段预警模型误差。弥补静态评估的不足，从而避免潜在的设计风险。优化设计规则，为设计人员提供了需要避免的间距范围的更精确的指导，有助于实现更好的设计优化。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目1003次，专利信息409条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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