上海
9月1日，据财闻海外资讯，应用材料（AMAT.US）已完成下一代半导体3D微缩（缩放）所需四大核心技术储备。公司封装与集成材料解决方案全球集团副总裁穆昆德・斯利尼瓦桑指出，降低每比特数据的功耗是行业核心课题，解决方案正是3D缩放技术。为突破算力与存储间的“内存墙”瓶颈，逻辑芯片、存储器、封装全领域正快速向3D结构转型。
实现3D缩放的四大创新及对应方案为：第一，新材料开发。研发目标是降低电阻与电容以缓解布线瓶颈，依靠先进薄膜、电镀及新材料寻找破局方向。包括用于HBM芯片背面低温沉积的「Producer Avila2」PECVD设备，以及用于3微米以下超微细硅通孔TSV的电镀设备「Nocota V‑Max2」。近期还联合客户研发共封装光学（CPO）所需光导波新材料，并开发兼顾绝缘与散热的高导热绝缘材料解决HBM发热难题。
第二，工艺革新。已开发并商用选择性工艺处理3D结构指定区域；拥有面向DRAM周边电路的选择性外延设备「Centura Prime Epi」；以及裸片‑对‑晶圆（D2W）混合键合集群系统「Kinex Bonding System」，将整体处理耗时从13小时缩短至1小时。公司已实现D2W与晶圆‑对‑晶圆（W2W）全产品矩阵覆盖。
第三，埃级精度控制。提供Opta Quad CMP化学机械抛光设备、VeritySEM 7AP电子束临界尺寸量测设备及SEMVision G7AP电子束缺陷检测设备，分别适配混合键合与TSV工艺、HBM与Chiplet基板以及多材质基板检测。
第四，全工序优化。通过投资50亿美元的EPIC创新中心（今年10月于美国硅谷启用）协同客户开展全流程量产验证；并将基础技术输送至韩国京畿道乌山的ACCK协作中心进行联合开发验证。应用材料韩国代表朴光善表示，此举旨在帮助新技术直接落地客户产线，公司正推进人才扩充等配套工作以支撑客户产能扩张。
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