北京
国家知识产权局信息显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司申请一项名为“一种双向导通GaN功率器件反向导通损耗优化方法”的专利，公开号CN122679850A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种双向导通GaN功率器件反向导通损耗优化方法，涉及GaN功率器件性能优化技术领域，包括，将结构信息和工况信息进行器件关联位置对齐，生成反向导通路径数据；从反向导通路径数据中提炼侧向偏移信息和聚集位置信息，生成极化通道配置数据；对双向导通GaN功率器件执行钝化覆盖分级处理，生成梯度钝化配置数据；依据梯度钝化配置数据对双向导通GaN功率器件进行钝化处理，生成导通损耗优化数据；将双向导通GaN功率器件按照导通损耗优化数据执行反向导通，生成损耗优化结果数据。本发明通过精确的反向导通路径标定与极化引导处理，优化了双向导通GaN功率器件的反向导通损耗。
天眼查资料显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司，成立于2023年，位于马鞍山市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息9条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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