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观点网讯：8月28日，香港理工大学宣布，其研究团队运用二维（2D）纳米材料，成功研制出新型量子隧穿场效应晶体管（TFET），突破了传统MOSFET的波尔兹曼极限，相关研究成果已在国际权威科学期刊《Science》发表。
传统MOSFET依靠闸极电压驱动热电子发射，让电荷跨越势垒，其中一环需要的最低闸极电压为60毫伏特（mV）。而“波尔兹曼极限”限制了MOSFET的亚阈值摆幅，成为传统晶体管功耗效益提升的物理瓶颈。
研究过程中，理大团队采用脉冲激光沉积（PLD）技术，制作出超薄的二维铋（Bi）与硒化铟（InSe）交替层异质结，最终实现高输出电流，且具备极高的开关电流比，有助降低电路延迟，并确保与现有集成电路芯片相容。
研究亦证明，脉冲激光沉积技术可用于制造精密、晶圆级二维材料，对未来采用超短通道的晶体管尤其重要。
《国际器件及系统路线图》（IRDS）提出，TFET是最有潜力取代传统晶体管MOSFET的方案，可为低能耗运算及新一代AI芯片提供基本组件。
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