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IT时代网8月31日消息，针对外界关于SK海力士考虑引入英特尔代工、为先进HBM基础裸片寻求第二供应商的报道，SK海力士作出回应，称难以确认有关自身技术路线图的内容，并表示部分内容与事实不符。
据媒体报道，SK海力士正评估先进HBM基础裸片供应商多元化，英特尔代工有望在HBM4E世代切入，结束台积电在这部分订单上的独占局面。从HBM1到HBM3E，与DRAM Die同款的存储工艺即可满足基础裸片的逻辑需求；自HBM4起复杂度与功耗性能要求抬升，SK海力士将基础裸片切换到逻辑工艺，据报道在HBM4上采用了台积电12nm制程。
报道援引消息人士称，台积电基础裸片报价明显高于SK海力士自产DRAM Die成本，引入第二供应商有助于提升其议价能力。SK海力士的回应则给这一传闻留出不确定性——既未确认也未完全否认技术路线调整，仅强调部分内容失实。
注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。
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