北京
分享至
国家知识产权局信息显示，合肥拓镓半导体科技有限责任公司申请一项名为“一种无需溶剂和催化剂批量生产高纯氧化镓的方法及装置”的专利，公开号CN122646893A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种无需溶剂和催化剂批量生产高纯氧化镓的方法及装置，具体涉及半导体材料制备技术领域，包括以下步骤：（a）将金属镓置入坩埚内，通过抽真空与加热处理，使其形成液态镓；（b）对所述液态镓进行多次机械破碎处理，得到微米至纳米级的镓微粒；（c）对步骤（b）得到的镓微粒进行分级分离，收集超微细镓粒子；（d）将所述超微细镓粒子送入反应器中，与氧气进行多级氧化反应，生成多晶型的Ga2O3。
天眼查资料显示，合肥拓镓半导体科技有限责任公司，成立于2026年，位于合肥市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥拓镓半导体科技有限责任公司专利信息2条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
