北京
国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“监控硅锗工艺中凹槽形貌的方法”的专利，公开号CN122662643A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种监控硅锗工艺中凹槽形貌的方法，在各向同性刻蚀过程中，通过Dummy PAD膜层的刻蚀量TK1监控凹槽的横向尖端与栅极侧壁之间的垂直距离T2G以及凹槽的横向尖端与衬底表面之间的垂直距离SMD，在各向同性刻蚀过程之后的纵向刻蚀过程中，通过Dummy PAD膜层的刻蚀量TK2监控干法刻蚀过程结束后凹槽的深度RCD。通过监测SiGe工艺的干法刻蚀过程中Dummy PAD膜层厚度的变化量来判断各向同性刻蚀及之后的纵向刻蚀的刻蚀终点，从而实现对凹槽形貌的有效精确控制。
天眼查资料显示，华虹集成电路（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2280000万人民币。通过天眼查大数据分析，华虹集成电路（成都）有限公司参与招投标项目177次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可133个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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