长存控股十年逆袭路：独创Xtacking架构，跻身全球前三

2026年8月21日，长江存储控股股份有限公司（下称“长存控股”）科创板IPO申请正式获得上交所受理。这家成立于2016年的国产NAND Flash龙头，用不到十年时间完成了从行业追赶者到全球前三的跃迁：2026年第一季度，长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

在财务数据方面，长存控股也是非常的亮眼！2025年营收631.85亿元、净利142.11亿元；2026年一季度营收470.42亿元、净利333.79亿元，单季利润已是2025年全年的约2.35倍。

但比这些数字更值得深究的，是这家企业如何凭借一条独创性技术路线，在3D NAND这一技术代际迭代极快的领域建立起真正的领先优势。

一、

理解长存控股的技术底色，必须从其创新性的晶栈®Xtacking®架构说起。在该架构问世之前，全球3D NAND制造的主流技术路线只有两种：即外围电路邻近存储阵列的 PNC 架构 (peripheral circuit nearby cell，PNC） 和外围电路集成于存储阵列下方的 PUC 架构（peripheral circuit under cell）。这两种架构的共同点在于，存储阵列和外围电路集成在同一片晶圆上。其中，PNC架构因存储单元有效利用率低，限制了存储密度提升；PUC架构虽节省空间，但制造工艺复杂、热预算管理困难，在超高层堆叠中面临瓶颈。

大多数 NAND Flash供应商在其最初的 3D NAND 工艺中实施 PNC 方法，然后在后续工艺中迁移到PUC架构。仅美光和Solidigm 在 32 层 3D NAND 路线图之初就实施了 PUC架构。随后三星、SK海力士也转向了PUC架构，三星称之为COP（Cell-on-Perry）。

但是，这两类架构均面临存储阵列与外围电路工艺需求不兼容的共性问题。在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上，这也造成了存储密度的降低。即便转向PNC路线，这种方法最多可容纳300多层的NAND，否则施加于底部电路上的压力可能会对电路造成损坏。

为了实现对于国际巨头的快速追赶，2018年长存控股正式发布晶栈®Xtacking®架构，其核心路线就是采用将存储阵列与外围电路分离的架构，在两片独立的晶圆上并行制备、独立优化，最后通过混合键合技术实现电学互连。

晶栈®Xtacking®架构是通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上。由于NAND晶圆和CMOS电路晶圆可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。同时，晶栈®Xtacking®架构也可以使得NAND芯片的每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高，驱动了架构的持续演进。

二、四代技术迭代：从追赶到局部领跑

晶栈®Xtacking®架构的每一步迭代，都对应着长存控股在技术代际上的关键跨越。

晶栈®Xtacking® 1.0（2018年）：首次实现晶圆到晶圆键合技术在3D NAND上的商业化应用，将外围电路置于存储单元之上，实现了64层3D NAND的大规模量产，成功突破国际专利壁垒。1.0 版本的核心工艺包括原子级晶圆平整技术、高精度光刻对准技术以及百亿级铜通孔的精准互连技术。该技术需严格控制晶圆表面平整度, 以最小化键合界面空隙，防止键合过程中的电气失效。通过定制化设计规则和辅助图案，实现了优异的全局至局域平面均匀性。

晶栈®Xtacking® 2.0（2019年）：当NAND阵列堆叠层数突破 100 层后，单次沟道孔刻蚀遇到工艺挑战。对此，2.0 版本引入了双堆栈架构，利用纳米级光刻对准工艺，显著降低了单次沟道孔刻蚀的工艺难度，在刻蚀设备受限的条件下，延续了高密度阵列堆叠向更高层数发展的趋势。此外, 为提升外围电路的信号传输速度，2.0 版本还应用了NiSi替代WSi，实现外围电路晶体管源/漏极接触，大幅降低了接触电阻，从而显著改善了 3D NAND 闪存性能。

晶栈®Xtacking® 3.0（2022年）： 导入了存储单元晶背信号与电源引出方案 (back side source connect，BSSC)，将阵列底部高深宽比复杂三维工艺转为二维平面工艺，开创了晶背信号与电源引出的新方法，从根本上攻克了源极引出的技术瓶颈，绕过了高深宽比深孔或深槽刻蚀工艺，有效解决了多排沟道孔及高层数堆叠结构中的源极引出难题。

晶栈®Xtacking® 4.0（2024年）：创新性地开发了一种将台阶、支撑孔和接触孔合而为一的新架构——无台阶自对准字线形成与引出架构，该架构采用自对准字线技术与循环精准刻蚀自停止工艺，实现了高精度的逐层字线引出。4.0 版本通过浅、中、深孔的光刻与刻蚀组合，结合数值编码设计, 将传统台阶制造与金属接触孔刻蚀一步集成, 成功克服了传统接触孔刻蚀的工艺挑战。在该创新架构中，字线驱动电路位于金属接触孔的正对面，显著降低了金属互连的复杂度，并缩减了字线驱动电路所需的面积。为更高层数的 3DNAND 闪存的结构设计铺平道路。

从具体的技术指标来看，自晶栈®Xtacking® 1.0持续迭代至 4.0，其I/O接口速度实现了从800MT/s、1600MT/s、2400MT/s到3600MT/s的持续提升；在存储密度上，晶栈®Xtacking® 4.0架构的3D NAND成为了业内第一个实现超过20Gb/mm²位密度的3D NAND。

除了晶栈®Xtacking®架构的持续演进之外，长存控股也是率先将混合键合技术引入到3D NAND制造的厂商。因为，要想将分别用于制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路的两片晶圆进行完美的垂直互连，就必须要用到混合键合技术。

目前混合键合技术主要有两类，晶圆到晶圆（Wafer-to-Wafer, W2W）和裸片到晶圆（Die-to-Wafer, D2W）。晶栈®Xtacking®架构正是基于W2W的混合键合技术，省去了传统芯片连接中所需的“凸点”（Bump），形成间距为10μm 及以下的互连，使得电路路径变得更短、I/O密度大幅提升，从而显著提高了传输速率，并降低了功耗，同时还减少芯片内部的机械应力，提高产品的整体可靠性。

此外，由于堆叠层数越来越高，NAND Flash前端的集成也由原来的NAND阵列（Array）+CMOS电路层堆叠，转向NAND阵列+NAND阵列+CMOS电路层堆叠，也需要“混合键合”技术的加持。可以说，对于3D NAND厂商来说，要想发展400层以上的NAND堆叠，混合键合技术已经成为了一项核心技术。

总结来说，长存控股自主研发的晶栈®Xtacking®架构，开创性地采用了存储阵列与外围电路分离的架构和晶圆键合技术，通过持续的快速迭代，在3D NAND存储密度、接口速度、工艺优化、可靠性、成本控制以及系统级定制化等方面展现出了显著的优势。目前长存控股已经实现 232 层工艺稳定量产，294 层等效工艺取得突破，产品广泛应用于消费电子、服务器、数据中心等核心场景，是国产存储芯片替代的核心力量。

三、高强度研发+大规模量产能力

长存控股成功通过晶栈®Xtacking®架构和混合键合技术持续迭代实现对国际NAND巨头从追赶到局部超越的背后，离不开高强度的研发投入和大规模量产的验证。

根据长存控股的IPO招股书显示，2023年至2025年，长存控股累计研发支出约159.53亿元。这些投入最终转化为232层工艺的稳定量产和294层等效工艺的技术突破。

此次长存控股科创板IPO拟募资330亿元，也将全部投入量产线技术升级项目（208.00亿元）和用于下一代技术、产品的研发相关募投项目（122.00亿元）。

在研发团队方面，报告期内，长存控股的研发人员数量和占比均保持稳步增长。截至2026年3月31日，长存控股已经构建了高达4,796人的研发团队，在总员工当中的占比31.1%。

从核心技术团队来看，截至招股书披露日，长存控股公司核心技术人员共 11 名，包括公司高级副总裁程卫华（2017年1月加入），首席科学家、创新研究院院长霍宗亮（2016年8月加入），高级副总裁陈俊（2017年3月加入），助理总裁王兴强（2022年11月加入），创新研究院技术开发副总经理周文斌（2017年1月加入），创新研究院技术开发副总经理冯耀斌（2017年1月加入），创新研究院IC开发副总经理侯春源（2018年4月加入），创新研究院产品与测试工程副总经理曹宏（2018年11月加入），创新研究院闪存器件副总经理靳磊（2016年10月加入），长江存储制造工程中心厂长华子群（2017年4月加入），长江存储制造工程中心厂长顾立勋（2017年4月加入）。

可以看到，长存控股核心技术团队当中的11人基本在公司成立之初就已加入，大多已在长存控股工作了8-10年，是与公司一路共同成长起来的，可以说这个核心技术团队非常的稳固。

在专利布局方面，截至2026年3月31日，长存控股及其控股子公司（不含武汉新芯及其控制的企业）已获授权发明专利共计5,611项，广泛应用于主营业务，其中能够产业化的发明专利超过7项。2022年和2024年，长存控股的晶栈®Xtacking®架构还先后两次获得全球存储领域权威峰会FMS奖项，技术影响力已获得国际认可。

相关报道还显示，2025年，三星电子还与长存控股签署了混合键合技术专利许可协议，标志着公司的核心技术反向输出至全球行业龙头，技术壁垒日益牢固。

技术架构的创新价值最终要通过大规模量产来验证。第三方机构的预测数据显示，长存控股2025年的NAN Flash晶圆产量已经从2024年的129万片增长至2025年的177万片，排名全球第四。招股书显示，截至2026年3月末，长存控股已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地。2023年产能利用率就已超94%，并持续提升，2026年一季度已达98.02%。

庞大NAND Flash产能的构建需要大量的资金投入。招股书披露，长存控股在报告期内购建长期资产（主要是产能建设）累计现金支出高达约963.90亿元，折旧及摊销费用合计约509.49亿元。

可以说，长存控股在研发和产能建设上巨额投入的，正是支撑晶栈®Xtacking®架构持续演进并实现量产落地的关键，也是其能够成功在产品端持续兑现的技术收益的关键。

四、出货量及营收已跃居全球第三

从市场端的表现看，长存控股以晶栈®Xtacking®架构为核心的3D NAND技术突破和大规模量产能力，已成功转化为实实在在的业绩和市场份额。

招股书显示，在报告期初的2023年，虽然尚处于市场拓展与产能爬坡期，长存控股的全年营业收入已经达到了187.44亿元；进入2024年，随着AI基础设施建设的浪潮兴起，下游对存储芯片尤其是企业级固态硬盘的需求激增，长存控股营收开始跃升至452.03亿元。这一增长趋势在2025年得以延续，全年营收达到631.85亿元。2026年第一季度，在量价齐升的超级景气周期下，长存控股单季营收更是飙升至470.42亿元，几乎追平了2024年全年的收入水平，显示出市场对于长江存储产能需求的极度旺盛。

从产能利用率来看，报告期内，长存控股的NAND Flash产能利用率持续维持在94%以上的高位，并呈现逐年提升的趋势，2026年一季度已经高达98.02%的历史高点。对于存储晶圆制造商来说，产能利用率的越高，意味着其综合制造成本越低，获利能力也将大幅提升。

特别是在AI基础设施建设热潮的驱动“存储超级周期”影响下，市场供需结构失衡，NAND Flash持续供不求，价格持续暴涨，进一步推升了长存控股的是获利能力。

招股书显示，2026年一季度NAND Flash的平均单价相比2025年全年均价暴涨了172.72%，单位成本却分别降低了9.38%。其中，存储芯片更是暴涨了218%，单位成本却分别降低了11.12%。

随着市场需求爆发推动的产品价格上涨，叠加产能利用率和毛利率的双双提升，长存控股于2024年成功实现扭亏为盈，全年归母净利润达到67.71亿元。2025年，长存控股盈利水平进一步提升，全年归母净利润增长至142.11亿元。2026年一季度，单季归母净利润更是达到了惊人的333.79亿元，仅一个季度的利润就远超2025年全年，净利润率高达约71%，展现了极高的盈利能力。

长存控股出货量和业绩的狂飙也推升了其在全球市场的份额。根据行业研究机构TrendForce的数据，2026年第一季度，公司在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

小结：

站在2026年8月这个时间节点回望，长存控股从2018年推出第一代晶栈®Xtacking®架构到2026年一季度登顶NAND Flash市场全球前三，仅用了不到十年时间。这一速度本身就说明了长存控股这条技术路线的正确性和超强执行力。

但更值得深思的是：为什么一家中国存储芯片企业能够在全球最寡头化的半导体细分市场中撕开缺口？这个答案并不复杂！

当三星、SK海力士、美光、铠侠四巨头长期占据全球95%以上NAND市场份额，行业格局已稳定超过十年时，长存控股没有选择在传统技术路径上跟随，而是“换道”晶栈®Xtacking®架构，重构了3D NAND的设计逻辑。这一架构不仅将外围电路与存储阵列分离，更通过混合键合技术实现了两者各自独立优化后再整合——在存储密度、I/O速度和开发周期上同时获得结构性优势。2025年三星反向签署混合键合专利授权协议，更进一步证明了这条技术路线在产业界的真正含金量。

在全球AI基础设施投资狂飙的背景下，存力与算力构成了数字时代缺一不可的双轮驱动。大语言模型的KV Cache、AI训练的海量数据集、企业级SSD的爆发式需求，都指向同一个结论：谁掌握了存储芯片的自主供给能力，谁就掌握了AI时代的基础设施命脉。长存控股从追赶者到局部并跑者的跃迁，其战略意义早已超越一家公司的业绩增长，而是中国在AI时代不至于在存力维度受制于人的底气和底气。

此次长存控股科创板IPO若能成功落地，募资330亿元全部投向量产线技术升级和下一代技术研发，将有望进一步缩小与国际巨头的产能和技术差距。

编辑：芯智讯-浪客剑