北京
国家知识产权局信息显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司申请一项名为“基于氧化镓晶体生长的热流场协同调控方法、设备及介质”的专利，公开号CN122649093A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种基于氧化镓晶体生长的热流场协同调控方法、设备及介质，属于晶体生长调控技术领域，解决氧化镓助熔剂法晶体实际生长过程中，热场与流场的耦合失稳制约氧化镓单晶的生长质量和成品率的问题。包括，实时监测熔体自由表面的温度场分布与对流速度场；基于温度场分布和对流速度场，确定出固液界面失稳时对应的温度热点区域和有害紊流漩涡区域；根据温度热点区域对应的温度梯度、有害紊流漩涡区域对应的旋转方向，以及场强信息与局部过饱和度梯度信息，确定温度补偿幅度与磁场强度之间的动态配比，并对该动态配比进行修正；基于修正后的动态配比，在固液界面失稳区域进行温度补偿与磁场补偿，实现热场与流场的协同调控。
天眼查资料显示，山东国镓晶谷半导体科技有限公司，成立于2021年，位于济南市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，山东国镓晶谷半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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