北京
国家知识产权局信息显示，甘肃虹光电子有限责任公司申请一项名为“一种半导体-介质-导体型衰减瓷及制备方法”的专利，公开号CN122659528A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体‑介质‑导体型衰减瓷及其制备方法，涉及电磁波吸收与衰减材料技术领域。所述衰减瓷由半导体相、介质相、导体相、助烧剂和粘结剂组成；所述导体相具有镍钴铈合金固溶体内核、氮掺杂无定形碳中间层及二氧化硅外壳的核壳结构，铈原子以晶格畸变形式掺杂于镍钴合金固溶体晶格中。其制备方法包括前驱体溶液配制、二氧化硅限域包覆、限域原位还原与缺陷构筑、混料成型和高温烧结。本发明通过半导体相、介质相和核壳导体相协同作用，实现阻抗匹配、界面极化、导电损耗和多重散射衰减的综合增强，能够提高衰减瓷的高温稳定性和电磁波衰减性能。
天眼查资料显示，甘肃虹光电子有限责任公司，成立于2005年，位于平凉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，甘肃虹光电子有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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