北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有混合对准结构的半导体衬底”的专利，公开号CN122662685A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，公开了具有混合对准结构的半导体衬底。包括对准标记的半导体衬底包括基层。基层包括对准标记的第一子结构和对准标记的第二子结构。第一子结构由第一掩模和曝光光刻工艺形成，并且第二子结构由第二掩模和曝光光刻工艺形成。半导体衬底还包括设置在基层之上的结构化层，其中第一子结构和第二子结构被配置为提供用于结构化层的对准的对准信息。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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