北京
IT时代网8月27日消息，英特尔首席财务官David Zinsner在德意志银行2026年技术大会上表示，即将推出的Intel 14A制程拥有自22nm节点以来最佳的缺陷密度曲线。22nm是英特尔首个引入FinFET晶体管的工艺节点，以Ivy Bridge架构闻名。将14A与22nm对比，也折射出英特尔近年先进制程推进的波折：14nm首发表现不佳，10nm更遭遇严重挫折，而22nm初期同样问题不断。
英特尔已多次更新14A时间表。2026年5月，CEO陈立武给出的路线图是2028年风险试产、2029年量产；但在7月财报会议上，时间表被提前一年：2027年下半年开启风险试产，2028年全面大规模量产。陈立武强调，14A在缺陷密度和晶体管性能两项关键指标上均已超越18A同期表现。
技术规格上，14A将采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、PowerDirect新一代背部供电技术，以及ASML High-NA EUV极紫外光刻设备。14A的0.5版本工艺设计套件已向客户开放，0.9版本预计2026年10月发布。先进封装方面，EMIB-T技术预计2027年实现大规模量产，通过在有机基板中集成硅通孔，使ASIC芯片可直接从基板取电，支持单一封装内数千瓦级功耗的高性能计算。
博通与Meta等头部客户正评估将部分原定采用台积电CoWoS方案的项目迁移至EMIB平台；英特尔已为谷歌2027年AI芯片提供EMIB-T封装验证，良率达90%，相较CoWoS方案封装环节成本差距最高可达50%。为支撑代工业务，亚利桑那州Fab 62与Fab 52已就绪、即将安装设备，俄亥俄州工厂一期全力建设、预计直接承担14A量产。英特尔预计，14A与EMIB-T等先进技术从2027年底开始打开代工市场，实质性营收贡献将在2028年与2029年显现。
注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。
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