北京
智通财经获悉，广发证券发布研报称，半导体制造崛起，CD-SEM战略地位日益凸显，国产替代正处于加速期。伴随国内晶圆厂持续扩产及存量产线国产化率提升需求，国产CD-SEM设备有望批量导入产线，将直接拉动上游核心部件的国产化配套需求，重点推荐半导体设备领域。半导体设备环节中，CD-SEM整机及其核心部件的突破将带动量检测设备产业链价值重估，核心设备及零部件企业有望受益于国产替代进程加速，建议关注产业链核心受益标的。
广发证券主要观点如下：
量检测设备是半导体前道制造中保障良率与工艺稳定的核心环节
集成电路制造涉及数百道工序，质量检测设备贯穿晶圆制造全过程，承担发现问题、量化偏差与维持工艺稳定的核心职能。按技术路线划分，前道量检测设备主要包括光学和电子束两大路线：光学技术基于光的散射、反射、衍射原理实现快速成像与测量，速度快、吞吐量高，是目前市场主流，代表厂商为中科飞测;电子束技术利用电子束扫描成像，分辨率达亚纳米级，精度高但速度较慢，主要用于关键尺寸量测和缺陷复查等对精度要求极高的环节，代表厂商为东方晶源。两条技术路线各有所长，互补共存。
CD-SEM是前道量检测国产替代的新路线，从晶圆到光罩覆盖前道全环节
电子束量测设备主要分为四类：CD-SEM(关键尺寸量测)、EBI(电子束缺陷检测)、DR-SEM(电子束缺陷复检)及HV-SEM(高电压电子束量测，研发及产业化验证中)，其中CD-SEM是前道制造中用量最大、覆盖面最广的核心品类。CD-SEM(关键尺寸扫描电子显微镜)用于在线测量光刻、刻蚀等工艺后的关键图形尺寸(如线宽、间距、孔径)，随着制程节点向7nm及以下演进，传统光学量测在分辨率和局部结构识别上的局限性日益凸显，CD-SEM凭借亚纳米级电子束成像能力，成为光刻刻蚀闭环控制中不可替代的尺寸标尺。其核心价值在于稳定、低损伤、高重复性的在线批量量测能力。产品按应用分为晶圆CD-SEM、光罩CDSEM及高压CD-SEM三大类，竞争焦点已从“看得清”转向“量得准、量得快、可闭环”，核心参数涵盖亚纳米级测量精度、低着陆能量(<300eV)、高速自动采样及与APC系统联动能力，应用覆盖逻辑芯片、DRAM、3DNAND及化合物半导体的前道光刻后显影、刻蚀后检查及光罩制造环节，在EUV薄胶图形监控及高深宽比结构测量中具有不可替代性。
CD-SEM市场国产替代进入加速验证期
据LPInformation数据，2025年全球CD-SEM市场规模约8.58亿美元，预计2032年增至14.95亿美元，CAGR达8.5%。国内市场方面，在中国半导体自主可控战略驱动下，晶圆厂扩产与产线国产化率要求共同催化需求，国内量检测设备整体市场持续扩容。当前全球市场仍由日立高新、应用材料等国际巨头主导，但根据东方晶源官网和招股书，以东方晶源为代表的国内厂商已实现12英寸CD-SEM产线批量验证与导入，在分辨率、产能及同型机台匹配等指标上对标国际主流水平，国产替代正从“首台验证”迈向“批量导入”阶段。
风险提示
半导体行业与市场周期性波动风险，CD-SEM新技术与新工艺产业化不及预期风险，半导体设备行业竞争加剧风险，上游核心部件供应链安全风险。
本文源自：智通财经网
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