北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种金属栅极填充质量的改善方法”的专利，公开号CN122622318A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供的一种金属栅极填充质量的改善方法，包括如下步骤：步骤1：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽通过后栅工艺中去除伪栅极层后得到；步骤2：在所述衬底以及所述栅极沟槽的侧壁、底部依次沉积阻挡层、功函数调节层；步骤3：在所述功函数调节层上沉积一层第一TiN层；步骤4：向所述栅极沟槽内填充非晶硅层直至填满所述栅极沟槽，所述衬底表面同时形成有一层非晶硅层，填充完成后通过化学机械抛光工艺将所述衬底表面的所述非晶硅层去除干净；步骤5：去除所述栅极沟槽内的所述非晶硅层；步骤6：向所述栅极沟槽内填充金属栅极。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目991次，专利信息393条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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