北京
国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法、半导体结构和电子设备”的专利，公开号CN122622653A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电子设备，属于半导体制造领域。所述方法包括：提供中间结构，中间结构包括依次层叠的基底、第一介质层、第二介质层和图形层；进行第一刻蚀操作，去除图形层和部分第二介质层，以使剩余的第二介质层具有与开口对应的通孔；进行第二刻蚀操作，去除剩余第二介质层和多个金属结构之间的第一介质层，以在多个金属结构之间形成空气间隔；其中，第一刻蚀操作和第二刻蚀操作采用干法刻蚀，第二刻蚀操作对第一介质层与基底的刻蚀选择比大于第一刻蚀操作。该方法制备得到的空气间隔能够有效降低金属结构之间的寄生电容，工艺流程简单，生产效率高。
天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可49个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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