北京
国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件、存储器和存储系统”的专利，公开号CN122622259A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件、存储器和存储系统，半导体器件包括存储阵列和填充层；存储阵列包括沿第一方向和第二方向呈阵列分布的多个存储单元，以及沿第三方向与存储单元堆叠设置的第一导电层和第二导电层，存储单元位于第一导电层和第二导电层之间，第一方向和第二方向交叉设置，且第三方向与第一方向和第二方向垂直设置；填充层至少填充在任意相邻的两个存储单元之间；填充层的材料包括选定填充材料，选定填充材料包括碳元素、氧元素和硅元素，且在选定填充材料中，碳元素的原子百分数和氧原子的原子百分数均大于硅元素的原子百分数。本申请可以减少或避免半导体器件内部出现空洞，有利于提高半导体器件的结构和电性能稳定性。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1837.8385万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目5次，专利信息269条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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