北京
国家知识产权局信息显示，重庆中科渝芯电子有限公司申请一项名为“一种深槽隔离结构及其制作方法”的专利，公开号CN122622647A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开一种深槽隔离结构及其制作方法，步骤为：步骤一、在硅基外延片的晶圆表面沉积一层氧化硅薄膜，作为硬掩膜层；步骤二、在氧化硅硬掩模层既定区域进行刻蚀，将底层硅基衬底暴露；步骤三、对已暴露的硅基衬底进行刻蚀，形成深槽，并对刻蚀产生的多晶聚合物进行清洗去除；步骤四、对深槽进行氧化，然后将晶圆表面及深槽内氧化硅膜层全部去除；步骤五、通过先氧化后沉积的组合方式在深槽内填充氧化硅介质层，并保留晶圆表面的氧化硅介质层；该氧化硅介质层作为器件的层间介质。本发明通过对工艺制造过程中刻蚀、清洗和填充工艺的优化，有效降低了深槽隔离结构的技术难度。
天眼查资料显示，重庆中科渝芯电子有限公司，成立于2010年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本134615万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆中科渝芯电子有限公司参与招投标项目77次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息125条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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