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观点网讯：2026年8月20日，摩根士丹利发布研究报告，预测成熟型DRAM内存和NAND闪存芯片的供应紧张状态可能进一步恶化。该机构预测2026年第3季度全球DDR4内存价格将上涨50%，第4季度再上涨10%以上。
报告指出，存储厂商将晶圆产能转向HBM、DDR5和高层数NAND是导致供应紧张的核心原因。这一产能转移趋势预计将持续，进一步收紧成熟型内存的供给。
摩根士丹利还预计，SLC NAND价格涨幅更高，2026年第3、4季度均上涨50%以上。
此次预测对存储产业链上下游可能产生广泛影响。PC厂商和服务器厂商或将面临内存成本上升的压力，而内存模组商则可能受益于库存增值。不过，该预测基于当前产能转向趋势，若趋势变化，实际价格走势可能不同。
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