北京
国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN122602533A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底；第一外延结构部，第一外延结构部形成在衬底上，第一外延结构部包括沟道层和形成在沟道层上的第一势垒层；凹槽，凹槽贯穿第一势垒层，并延伸至沟道层内部；第二外延结构部，第二外延结构部至少包括第二势垒层；第二外延结构部覆盖凹槽的底部、侧壁以及凹槽顶部左右两侧的第一外延结构部的上表面；第二外延结构部与第一外延结构部在凹槽顶部左右两侧的表面形成半导体‑半导体直接接触。第一外延结构部和第二外延结构部采用半导体‑半导体直接接触，可以利用多层AlGaN势垒层的极化协同效应来提升2DEG浓度，由此可以使得器件导通电阻降低，器件性能较好，成本较低。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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