北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“封盖层的选择性沉积”的专利，公开号CN122603613A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，提供了形成半导体器件的方法。该方法包括将基板的顶表面暴露于反应物和金属前驱物以在基板的顶表面上选择性地沉积封盖层，该基板包括在介电层中形成的至少一个特征，该介电层限定包括侧壁和底部的经填充的间隙、经填充的间隙的侧壁上的阻挡层和阻挡层上的金属衬里，该封盖层在经填充的间隙、阻挡层和金属衬里中的一者或多者上沉积。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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