长鑫市值重回4万亿，存储芯片的“超级涨价周期”这次不一样？

8月17日，A股存储芯片板块全线爆发。同花顺(300033)行情中心数据显示，存储芯片概念板块（886393）成交2907.46亿元。据交易所盘中数据显示，存储芯片题材主力资金净流入141.37亿元。其中，长鑫科技主力资金净买入超17亿元，佰维存储净流入5.22亿元。半导体板块主力资金净流入超95亿元。

个股层面，有研新材(600206)、盈方微双双涨停；普冉股份大涨超10%，芯原股份涨超7%，盛科通信-U涨超5%，佰维存储、东芯股份、寒武纪涨幅居前。长鑫科技盘中持续走高，涨超9%，成交额达211亿元，总市值重回4万亿元。科创芯片设计ETF招商大涨4.11%，聚焦“算力+存储”的科创芯片设计ETF汇添富涨4.17%。

存储芯片赛道在2026年上半年经历了多次行情，如今再度成为资金追逐的焦点。而与之前由HBM供需缺口、长协锁定等驱动的逻辑不同，业内人士分析，本轮行情的核心叙事是一场利基存储的“超级涨价周期”。

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本轮行情与之前有何不同？

业内人士指出，本轮存储芯片方向的全面爆发，主要基于利基存储“超级涨价周期”的逻辑。利基存储是指非主流、市场容量相对较小的存储芯片品类，主要包括NOR Flash、SLC/MLC NAND和EEPROM，广泛存在于工业控制、汽车电子、物联网设备、医疗设备等场景。

此前存储行情的核心逻辑是HBM供需缺口与长协锁定。今年6月至7月，市场关注焦点主要为“普通DRAM涨4.5倍、HBM产能被预订一空、云厂商签订3至5年长协”等信息，资金主要集中在HBM、高端DRAM、企业级NAND等AI核心存储品类。

闪迪在投资者日给出的长期财务目标远超预期，预计FY2028-FY2030年收入年均增速达到中高双位数；非GAAP毛利率约80%，营业利润率约75%。这一指引令市场开始重新审视过去对NAND的周期定价逻辑。上周五美股存储芯片股继续走高，闪迪收涨超7%、全周累涨35%，SK海力士一周涨超20%。

过去，利基存储市场由三星、海力士、美光等国际大厂把持。如今，大厂们正在系统性地退出这一领域，全部转向HBM和3D NAND这些高附加值产品，低容量的SLC/MLC NAND、NOR Flash“没人生产了”。

这不是周期性调整，而是永久性的产能出清。TrendForce数据显示，2026年全球MLC NAND产能同比缩减超41.7%，且国际主流厂商均无扩产计划。三星已基本退出MLC NAND供给，海外大厂战略性将产能转向HBM、高层数3D NAND。

与此同时，AI终端化正在创造增量需求，AI服务器、自动驾驶、工业设备对高可靠性存储的需求刚性增长。

8月14日，SK海力士董事长崔泰源在采访中将存储芯片争夺形容为“如同一场战争”，并表示明年大概率会是存储芯片供应缺口最大的一年。SK集团已宣布未来十年投资7200亿美元用于AI内存扩产。

价格信号的强度远超市场预期。TrendForce最新预测，2026年下半年SLC NAND合约价格将较上半年调涨120%-170%，且不排除有上修空间。现货市场方面，部分MLC NAND型号价格涨幅已超300%，市场缺口难以补足。二季度普通DRAM、NAND Flash合约价均实现五成以上环比大涨。

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产业链业绩分化初现端倪

普冉股份是此轮利基存储超级涨价周期最直接的受益者。公司2026年上半年归母净利润约8.25亿元，同比增长约1925%，其中Q2单季净利润约5.74亿元，环比增长约128%。

公司表示，受益于全球人工智能算力建设，存储芯片行业供给格局优化，通用存储芯片产品价格维持上涨态势，存储业务实现量价齐升。普冉股份是NOR Flash全球第五、SLC NAND核心供应商，在海外大厂退出利基市场的同时，公司直接受益于供需错配驱动的涨价。

此外，多家存储龙头都实现半年报业绩爆发。兆易创新(603986)预计上半年营收115亿元左右，同比增长约177%；归母净利润约69亿元，同比增长约1099%。北京君正(300223)预计上半年归母净利润10.79亿元至12.82亿元，同比增长431%至531%。

模组端的业绩同样惊人。江波龙上半年实现营业收入240.88亿元，同比增长136.26%；归母净利润105.77亿元。佰维存储预计上半年归母净利润70亿元至75亿元，上年同期亏损2.26亿元，同比扭亏。德明利预计上半年归母净利润57亿元至65亿元，同样实现扭亏为盈。

但环比数据揭示了产业链话语权的走向，正在不断向上游晶圆厂和芯片设计端集中。兆易创新二季度环比增长272%，北京君正环比增长138%至202%，而德明利作为模组厂则出现了5.74%至29.65%的环比下滑。

财信证券认为，从需求侧看，AI大模型迭代与算力基础设施建设提速，高端服务器、AI推理场景大幅拉升HBM、DRAM及企业级闪存需求；从供给侧看，2026年存储原厂扩产资源集中倾斜高附加值HBM产品，传统DRAM、NAND闪存有效供给增量有限，行业整体供需缺口持续扩大。

对于本轮行情，券商认为当前SLC NAND价格暴涨的核心驱动是供给端永久性收缩。虽然海外大厂短期内不会重返利基市场，但若价格持续维持高位，不排除部分产能重新分配或国内新进入者加速扩产，改变供需格局。