北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“快速热退火作业腔温度分布监控方法”的专利，公开号CN122579914A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种快速热退火作业腔温度分布监控方法，包括：（1）提供监控晶圆和实验晶圆；（2）对两者进行相同温度场的退火作业；（3）采集得到对应的温度场内的光刻套刻精度(OVL)数据和X、Y方向的RS profile数据；（4）筛选出晶圆面内各点光刻套刻精度(OVL)数据最收敛时的温度场；（5）通过最小二乘法分别对X和Y方向的方块电阻值（RS）拟合出一元多次函数，根据决定系数判定拟合函数的拟合度是否满足要求，然后再通过满足拟合要求的一元多次函数的最高项次系数判定温度场分布是否符合标准；对比实际RS profile数据与最佳RS profile的数据，结合拟合函数的最高项系数判定作业腔温度场的分布是否存在异常；（6）根据监控判定结果，决定设备正常作业或进行维护。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目931次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7896条，此外企业还拥有行政许可464个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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