北京
SanDisk(闪迪)本周举行了投资者日演讲，但随后部分演讲幻灯片因涉嫌数据不准确和关键信息遗漏，被指忽悠投资者，在社交媒体上引发科技圈用户的强烈质疑和反弹。
问题所在：HBM数据被压低，HBF写入寿命只字未提
一个AI模型基本由一系列Transformer模块组成，核心包含两个关键部件：注意力层（Attention Layer）负责分析句子中词与词之间的关联，并以KV缓存的形式保存这些关联信息，上下文越长，KV缓存占用就越大；前馈网络（FFN）则以权重的形式承载模型的全部知识，通过复杂的数学运算挖掘每个词背后的含义。
目前模型权重和KV缓存都存放在HBM中，但HBM芯片直接焊装在GPU旁边，容量有限，若要扩容通常只能增加GPU数量，成本会迅速攀升。
高带宽闪存（HBF）是可能的解决方案之一，SanDisk正与SK海力士合作开发HBF标准，计划提供512GB容量、带宽在0.4TB/s到3TB/s之间，目标是在2028/2029年实现商业化落地。原理上，HBF和HBM堆叠DRAM的方式类似，只是改为堆叠NAND闪存颗粒，通过硅通孔（TSV）连接各层芯片，并绑定一颗逻辑控制裸片。
但NAND颗粒最大的问题是速度慢：SRAM读取速度约为1纳秒，DRAM约100纳秒，而NAND高达约100微秒，也就是说NAND的读取速度比基于DRAM的HBM慢了大约1000倍。不过HBF依靠并行化弥补了这一劣势——逻辑裸片可以同时调度数千次NAND颗粒的并行读取，单次读取虽慢1000倍，但成千上万次并行叠加起来，仍能实现0.3TB/s到3TB/s的总带宽。
即便如此，HBF依然无法克服NAND本身写入速度差、写入寿命脆弱的固有缺陷。
争议焦点：比较对象过时，量化方式也不合理
文章指出，SanDisk这次演讲在数据准确性和呈现规范上存在明显问题。由于HBF要到2028/2029年才会正式量产，SanDisk本应拿届时将成为主流方案的16层堆叠HBM4E来做对比，而这一代HBM带宽可达32TB/s，是SanDisk所采用的12.8TB/s对比数据的约3倍——明显选用了过时、被低估的HBM带宽数字。
此外，SanDisk在展示中采用了BF16作为量化标准进行对比，但目前主流模型基本都用fp8或fp4进行部署，用BF16做基准会显著夸大HBF方案在容量需求上的优势。
社交媒体上也有用户对此提出类似质疑，指出SanDisk似乎刻意将HBM和HBF的带宽都压低到统一的1.6TB/s左右，同时选用早已过时的BF16量化标准，而非当前主流的fp8/fp4。
更严重的是，SanDisk在对比HBF与HBM方案的GPU时，完全没有提及HBF的写入寿命问题——NAND固有的写入次数上限通常在10万次左右，而HBM理论上写入次数没有上限。文章认为这是一个相当严重的遗漏，因为写入寿命不足很可能导致HBF根本不适合用来存放需要频繁读写的KV缓存。
结语
文章认为，尽管SanDisk或许能对上述这些疏漏和取舍给出"合理"解释，但整体呈现出的画面，多少显得有些"心虚"和刻意营造叙事的意味。
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