北京
国家知识产权局信息显示，滁州华瑞微电子科技有限公司申请一项名为“一种提升VTH均匀性的耗尽型MOSFET制备方法及结构”的专利，公开号CN122579641A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种提升VTH均匀性的耗尽型MOSFET制备方法及结构，涉及半导体器件制造技术领域，通过基于注入掩膜数据在半导体基底上构建牺牲阻挡层，得到注入开口结构，基于所述牺牲阻挡层和所述注入开口结构进行自对准离子注入，得到离子注入区域，对所述牺牲阻挡层进行去除处理，得到中间处理表面，基于预设的阈值调整参数对所述中间处理表面进行阈值调整注入，得到调阈注入区域，对所述调阈注入区域的牺牲氧化层进行去除处理，得到最终处理表面，并在所述最终处理表面上构建覆盖所述离子注入区域的栅氧化层，得到栅介质结构，可以实现对沟道长度的精确控制，提升阈值电压的均匀性。
天眼查资料显示，滁州华瑞微电子科技有限公司，成立于2020年，位于滁州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19974.1663万人民币。通过天眼查大数据分析，滁州华瑞微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可77个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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